在進行電源設計時，效率與可靠性都是設計者首先考慮的因素，在設計逆變電源時更是如此。逆變電源可靠性的提升對于新手們來說是一個較為頭疼的問題，雖然有資料可供參考，但其中值給出了部分方法，卻沒有給出一些技巧或原理上的講解。MOS管不同的封裝形式對于原器件的參數(shù)設定與選型一樣會影響到產(chǎn)品的可靠性,需要謹慎對待。

電源逆變器MOS管常用型號是需要按照輸入或輸出電壓的不同來選擇不同BVDSS電壓的MOS管，隨小編來看下權威品牌MOS管廠家飛虹電子設計的電源逆變器方案。

該方案前端DC-DC的升壓采用推挽電路，MOS管開關晶體管Q1/Q2推薦輸入電壓：

到后端的AC-DC全橋逆變電路，根據(jù)亞洲、北美等不同國家市場對輸出電壓的使用要求不同，總結出電源逆變器的后端輸出主要典型電壓值為110V和220V。電源逆變器設計的電路輸出波形主要為方波和正弦波。推薦Q3~Q6可參照下表來選擇MOS。

這里給大家重點了解下40N20型號MOS管，MOS管40N20為N溝道低壓大電流功率MOS場效應管, 因其產(chǎn)品特點開關速度快，廣泛應用于電源逆變器。

Package：TO-220

BVdss（V）：200

PIN：GDS

Vgs（±V）：30

VTH（V）：2-4

ID（A）：40

RDS(on) = 90mΩ(max)@VGS=10V 

測試電路

ID電流是MOS芯片的最大電流，實際使用時的最大電流還要受封裝的最大電流限制。設計產(chǎn)品時的最大使用電流設定要考慮封裝的最大電流限制。建議客戶設計產(chǎn)品時的最大使用電流設定更重要的是要考慮MOS的內阻參數(shù)。

以上就是飛虹電源逆變器的全部內容，需要設計電源逆變器不妨參考下其MOS管型號。廣州飛虹半導體MOS管廠家主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營：場效應管、三極管等半導體器件，專注大功率MOS管制造15年。

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